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PXI-SMU mit hoher Kanaldichte

22. Februar 2018, 14:30 Uhr   |  Nicole Wörner

PXI-SMU mit hoher Kanaldichte
© National Instruments

Hohe Kanaldichte für den Halbleitertest

Mit der sechsfachen Kanaldichte im Vergleich zu den Vorgängermodellen wartet die für das Testen von RF-, MEMS- sowie Mixed-Signal- und analogen Halbleiterbauelementen ausgelegte Source Measure Unit (SMU) PXIe-4163 von National Instruments auf.

Als neues Modul für das PXI-basierte Semiconductor Test System (STS) von NI erlaubt die PXIe-4163 dank ihrer hohen Kanaldichte eine höhere Parallelität bei Multi-Site-Anwendungen. Es leistet Messungen in Laborqualität in einem für die Produktion geeigneten Formfaktor. Dank dieser Eigenschaften kann dieselbe Messhardware vom Validierungslabor bis zur Produktion eingesetzt werden, was die Korrelation von Messdaten deutlich vereinfacht. 

Die neue SMU PXIe-4163 kann sowohl in STS-Konfigurationen als auch in Stand-alone-PXI-Systemen eingesetzt werden. 

Zu den wichtigsten Produkteigenschaften gehören:

•    Bis zu 24 Kanäle in einem PXI-Express-Steckplatz
•    ±24 V pro Kanal
•    Bis zu 100 mA (stromziehend/-liefernd) pro Kanal 
•    100 pA Stromempfindlichkeit
•    Bis zu 100 kSample/s Abtast- und Update-Rate
•    SourceAdapt zur Reduzierung von Überschwingungen und Oszillationen
•    Interaktive Software für die Konfiguration und Fehlerbehebung 
•    Bis zu 408 hochpräzise SMU-Kanäle in einem PXI-Chassis (Platzbedarf von 4 HE)
•    Vollständige Kompatibilität mit dem STS einschließlich Systemverkabelung, Kalibrierung und Pinzuordnung.
 

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