Xilinx und Everspin

1-Gb-MRAMs für Speichersubsysteme

22. Januar 2020, 06:54 Uhr   |  Heinz Arnold

1-Gb-MRAMs für Speichersubsysteme
© Everspin

Die 1Gb-STT-MRAMs von Everspin.

Xilinx hat die 1-Gb-MRAMs von Everspin in seine Vivado-Entwicklungsumgebung eingebunden.

Damit lassen sich die 1Gb-STT-MRAMs in die Speichersubsysteme auf  Basis der DDR4-Mermory-Controller von Xilinx integrieren. »MRAMs und nichtflüchtige Speicher sind für einen großen Bereich von Systemen zunehmend wichtig, beispielsweise wenn die Stromversorgung ausfällt«, sagt Jamon Bowen, Planning and Storage Segment Director der Data Center Group von Xilinx. »Mit Partnern wie Everspin können die Kunden relativ einfach Speichersubsysteme auf Basis der Xilinx-Plattform aufbauen.« Dazu sind keine externen Versorgungen wie Superkondensatoren und Batterien erforderlich. Tritt ein Stromausfall auf, werden die Daten aller offenen Seiten und Buffer in die nichtflüchtigen MRAMs geschrieben. Dieser Vorgang, »Scram« genannt, dauert nicht länger als 10 µs.

Die Spin-Transfer-Torque-MRAMs (STT-MRAMs) von Everspin sorgt laut Kevin Conley, President und CEO von Everspin, nicht nur dafür, dass keine Daten verloren gehen, sondern sie nehmen weniger Platz in Anspruch und verbessern gleichzeitig die Leistungsfähigkeit, den Datenerhalt und die Zuverlässigkeit der Speichersysteme in der IT-Infrastruktur von Unternehmen und in Datenzentren.  

Dazu hat Everspin für die STT-MRAMs eine Variante zum JEDEC-DDR4-Interface entwickelt, ST-DDR4 genannt. Damit kann ein DDR4-Memory-Controller von Xilinx mit den nichtflüchtigen MRAMs von Everspin kommunizieren. Über die Zusammenarbeit mit Xilinx, die sich bereits über die letzten beiden STT-MRAM-Generationen erstreckt, können die Entwickler die DDR4-Controller an die ST-DDR4-Interfaces anpassen.

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