Fairchild Semiconductor

150-V-MOSFET mit niedrigem RDS(ON)

21. Juli 2010, 06:46 Uhr   |  Heinz Arnold

Der neue 150-V-MOSFET FDMS86200 von Fairchild Semiconductor erreicht einen RDS(ON) Wert von max. 17 mOhm und einen Gütefaktor (FOM) von 17 mOhm * 33 nC maximal.

Untergebracht in einem 5 mm x 6 mm großen MLP-Gehäuse ermöglicht er damit den Aufbau von DC/DC-Wandlern mit hohem Wirkungsgrad, niedriger Verlustleistung und damit einer geringen Wärmeentwicklung. Er eignet sich für den Einsatz in LED-Beleuchtungen, in Solarsystemen und in der Industrie.

Den FDMS86200 hat Fairchild auf der Basis der Shielded-Gate MOSFET-Technologie entwickelt, die Designs mit geringen Schaltstörungen und Überschwingen ermöglicht und dadurch die EMI-Ausstrahlungen reduziert. Ohne diese proprietäre Technologie müssten die Entwickler einen 200-V-MOSFET einsetzen, der einen doppelt so hohen RDS(ON) Wert aufweist und damit den Wirkungsgrad des Designs deutlich reduziert. Der FDMS86200 von Fairchild verfügt zudem über eine verbesserte Body-Diode, die auf Grund der geringeren Verluste die Schaltleistung noch weiter erhöht.

Den Preis der MOSFETs beziffert Fairchild bei einer Abnahmemenge von 1000 Stück auf 1,92 Dollar. Muster stehen ab sofort zur Verfügung, die Lieferzeit liegt zwischen 12 und 15 Wochen.

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