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Infineon Technologies: Diskrete CoolSiC-MOSFETs

Infineon Technologies fertigt SiC-MOSFET-Module bereits in Serie und stellt nun auch diskrete 1200- und 650-V-CoolSiC-MOSFETs vor.

Mosfet von Infineon mit TO-220-FullPAK-Wide-Creepage-Gehäuse Bildquelle: © Infineon | Shutterstock

Erhältlich sind die diskreten Produkte mit sieben verschiedenen Widerstandsklassen, die sowohl im TO247-3- als auch im TO247-4-Gehäuse zur Verfügung stehen. Die Markteinführung von SMD-Versionen und einer 650-V-CoolSiC-MOSFET-Reihe ist ebenfalls geplant. Neu ist auch Infineons Easy-3B-Gehäuse. Mit ihm bietet die Easy-Familie das breiteste Portfolio von Leistungsmodulen mit 12 mm Höhe ohne Grundplatte. Die Gehäuseplattform XHP 3 bietet ein flexibles IGBT-Modul für Hochleistungsanwendungen im Spannungsbereich von 3,3 bis 6,5 kV.

Erstes Mitglied einer neuen Familie von Stromsensoren ist der kernlose Hall-Sensor Xensiv TLI4971. Er ermöglicht eine genaue und stabile Strommessung in industriellen Anwendungen. Für seine Automobilkunden bietet Infineon zudem vier neue Derivate des Leistungsmoduls HybridPack Drive für Hauptwechselrichter in Hybrid- und Elektrofahrzeugen. Sie sind für verschiedene Wechselrichterleistungen zwischen 100 und 200 kW optimiert.