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Interview mit Gregg Lowe, Cree: SiC als Schlüssel für die E-Mobilität

Fortsetzung des Artikels von Teil 1.

Weitere Stärkung durch Akquisitionen?

Aktuell dürften Industrie-Applikationen noch eine größere Bedeutung als Automobil-Anwendungen haben. Wann rechnen Sie mit einer Verschiebung zugunsten der EV-Anwendungen?

Wir gehen davon aus, dass die Dominanz der Industrie-Applikationen noch maximal zwei, drei Jahre andauern wird. Vor diesem Hintergrund könnte es durchaus bereits 2021/22 zu einer Verschiebung zugunsten der Automobilanwendungen kommen. Aber es ist ja nicht nur die Nachfrage aus dem Automobil-Bereich. Auch der bevorstehende Rollout der 5G-Technologie wird, etwa im Bereich der Basisstationen, vom Einsatz von GaN-Leistungsverstärkern auf SiC-Leistungshalbleitern profitieren.

Inzwischen überschlagen sich die Automobil-Hersteller fast mit der Ankündigung immer neuer Elektrofahrzeuge. Was hat sich technisch gegenüber den letzten Jahren verändert?

In den letzten Jahren waren Plug-in-Hybridlösungen meist an der Tagesordnung. Während Plug-in-Lösungen noch mit IGBTs realisiert werden konnten, lassen sich die höheren Leistungs- und Spannungsanforderungen von Batterie-Elektrofahrzeugen am besten mit SiC realisieren. Der Triumph des Elektrofahrzeugs ist mit Reichweite und Schnellladefähigkeit verbunden. Beides lässt sich mit SiC auf konkurrenzlose Weise realisieren.

Cree wurde gerade als exklusiver SiC-Partner der „Future Automotive Supply Tracks“-Initiative der VW-Gruppe vorgestellt. Was bedeutet das für Cree?

Cree fühlt sich geehrt, mit dem Volkswagen-Konzern zusammenzuarbeiten. Der VW-Konzern ist eine globale Kraft im Automobilbereich mit einem starken Engagement für Elektrofahrzeuge. Der VW-Konzern hat zugesagt, in den nächsten zehn Jahren fast 70 neue Elektrofahrzeuge auf den Markt zu bringen. In diesem Zeitrahmen plant der VW-Konzern nun die Produktion von 22 Millionen Elektrofahrzeugen. Diese Partnerschaft wird die Vorteile von Wolfspeed-Siliziumkarbid nutzen, um längere Fahrstrecken, kürzere Ladezeiten und verbesserte Effizienz zu ermöglichen.

Neben den Automotive-Applikationen entstehen fortwährend neue Einsatzmöglichkeiten für SiC: Sehen Sie vor diesem Hintergrund die Notwendigkeit, in Zukunft diskrete Bauteile jenseits des heute von Cree angebotenen Produktspektrums auf den Markt zu bringen?

Natürlich werden wir auch weiterhin neue Lösungen entwickeln, die die Kunden von uns verlangen und die neuen Anwendungen erfordern. Unsere aktuelle Produktpalette umfasst SiC-Leistungsgeräte von 650 V bis 1700 V, und wir stellen neue Produkte vor, die für die Bedürfnisse der Automobil-, Industrie- und Energiemärkte optimiert sind.

Cree/Wolfspeed setzt nach wie vor auf planare SiC-MOSFETs, während fast alle anderen Anbieter neben Planar- auch Trench-SiC-MOSFETs anbieten. Wie weit sind Sie mit Ihren Plänen in puncto Trench-SiC-MOSFETs inzwischen fortgeschritten?

Unser Hauptaugenmerk gilt nach wie vor dem Planar-SiC-MOSFET, daran dürfte sich auch in den nächsten Jahren nichts ändern. Aber der Markt verändert sich gerade massiv, es ergeben sich neue Einsatzmöglichkeiten. Wir arbeiten im R&D-Bereich weiter an Trench-SiC-MOSFET-Lösungen. Wenn es notwendig ist, werden wir mit entsprechenden Lösungen auf den Markt kommen.

Noch eine Frage zu GaN – wird Cree in Zukunft auch GaN-Leistungshalbleiter anbieten und damit auch Lösungen für den Spannungsbereich unter 650 V offerieren?

Durch unser HF-Geschäft verfügen wir über eine große Expertise in GaN. Dieses Geschäft wird sich gut entwickeln, da die 5G-Märkte weiter expandieren. Zu diesem Zeitpunkt liegt unser Schwerpunkt auf der Energieversorgung bei 650 V und höher, wo Siliziumkarbid seine beste Leistung zeigt. Wir sehen den Markt für GaN-Leistung unterhalb dieses Bereichs, und an dieser Stelle bleiben wir bei 650 V und höher konzentriert.

Sie haben auf die ausgewiesene Expertise von Cree/Wolfspeed in Sachen SiC hingewiesen. Dasselbe dürfte für Ihre HF-Aktivitäten gelten. Sehen Sie die Möglichkeit, sich durch Akquisitionen in beiden Bereichen noch zu verstärken?

Wir haben das zuletzt ja im Bereich der Hochfrequenz-Leistungskomponenten von Infineon Technologies getan. Ich sehe da für uns in Zukunft durchaus noch Potenzial. Akquisitionen machen dort Sinn, wo sie unsere existierende Marktstellung weiter stärken und ausbauen. Wir halten uns diesbezüglich alle Optionen offen, von Startups mit interessanten technischen Ideen bis zu größeren existierenden Einheiten. Aus diesem Grund würde ich für die Zukunft auch Akquisitionen nicht ausschließen.