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Alliance Memory: Schnelle 4-Mb-DDR4-SDRAMs

Die neuen 4-Mb-DDR3-SDRAMs von Alliance Technology arbeiten an 1,2 V und erreichen Datenraten von 2400 und 2666 MB/s pro Pin.

Alliance Memory Bildquelle: © Alliance Memory

Außenansicht des ungarischen GS Yuasa Werks.

Gegenüber den DDR3-Typen hat Alliance Semiconductor damit die erforderliche Spannungsversorgung von 1,5 auf 1,2 V (±0,06 V) gesenkt, was für batteriebetriebene Geräte interessant ist. Der zu 256 M x 16 b organisierte AS4C256M16D4 und der zu 512 M x 8 b organisierte AS4C512M8D4 bieten bis zu 16 Banks.

Sie können im kommerziellen (0 °C bis 95 °C) und industriellen Temperaturbereich (-40 °C bis 95 °C) arbeiten. Damit eigenen sie sich für den Einsatz in einem weiten Spektrum von Geräten für die Industrie, die Medizintechnik, das IoT, in Autos und im Spielebereich. Muster der SDRAMs in FBGA-Gehäusen mit 96 und 78 Anschlüssen stehen ab sofort zur Verfügung, ab November 2019 auch Stückzahlen mit Lieferzeiten von acht Wochen.