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OMRON G3VM-21MT: MOSFET Solid-State-Relay mit geringem Leckstrom

OMRON bewirbt das MOSFET Relais G3VM-21MT mit einem extrem niedrigen Leckstrom von nur einem Milliardstel Ampere besonders für den Einsatz in Testgeräten für Halbleiterbauelementen als Alternative zu mechanischen Relais.

G3VM-21MT Bildquelle: © OMRON

Bislang wurden MOSFET-Relais als ungeeignet für präzise elektrische Tests und den Einsatz in Testgeräten angesehen, da es technologisch schwierig ist, den Leckstrom zu reduzieren. Das OMRON G3VM-21MT ist ein normalerweise offenes Halbleiterrelais (SPST), das in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse geliefert wird und sich für Anwendungen mit geringer Leistung wie das Schalten von Messsignalen in Testgeräten für Halbleiterbauelemente eignet.

Neben der verlängerten Lebensdauer betont OMRON, dass das G3VM-21MT das weltweit erste MOSFET-Relais-Modul mit "T-Typ-Schaltungsstruktur" ist, das aus drei MOSFET-Relais besteht, wodurch der Leckstrom reduziert wird, ohne die Prüfgenauigkeit der Prüfgeräte zu beeinträchtigen.

Das Ausgabegerät kann 200 mA Dauerstrom oder 600 mA Impulsstrom mit niedriger Einschaltdauer aufnehmen, und die empfohlene maximale Lastspannung beträgt 16 V. OMRON hebt den niedrigen Leckstrom 1 pA (Milliardstel Ampere) bei 20 V im Aus-Zustand über die Ausgangskontakte hervor.

Mechanische Reed-Relais, die bislang für Komponenten verwendet wurden, die präzise Messungen in Halbleiter-Testgeräten ermöglichten haben einen extrem niedrigen Leckstrom, müssen aber wegen des die Messgenauigkeit beeinträchtigenden Verschleiß der Kontakte regelmäßig ersetzt werden.