TRENCHSTOP IGBT6

Höhere Effizienz und Leistungsdichte

30. Juli 2018, 10:39 Uhr   |  Hagen Lang

Höhere Effizienz und Leistungsdichte
© Infineon Technologies AG

Die neue 1200 V IGBT Serie von Infineon Technologies setzt neue Maßstäbe bei Effizienz und Leistungsdichte für steigende Anforderungen bei Leistungsschaltern.

Als erster diskreter IGBT auf dem Markt wird das Bauteil mit Diode auf einem 300-mm-Wafer produziert. Die Produktfamilie wurde optimiert für den Einsatz in hart schaltenden und resonanten Topologien mit Schaltfrequenzen von 15 kHz bis 40 kHz. Typische Anwendungen für den IGBT6 sind unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Solarwechselrichter, Batterieladegeräte und Energiespeicher.

Der TRENCHSTOP IGBT6 ist in zwei Bauserien erhältlich, der Serie S6 mit niedriger Sättigungsspannung V CE(sat) von 1,85 V und der Serie H6, ausgelegt für geringe Schaltverluste. Wie in Anwendungstests bestätigt, führt der direkte Austausch des Vorgängerproduktes Highspeed3 durch den neuen TRENCHSTOP IGBT6 S6 zu einer Effizienzsteigerung von 0,2 Prozent. Der positive Temperaturkoeffizient des Bauteils ermöglicht eine einfache und robuste Parallelisierung. Zusätzlich erlaubt die gute R g-Regelbarkeit eine Anpassung der Schaltgeschwindigkeit des IGBTs an die Anforderungen der jeweiligen Anwendung.

Die neuen 1200 V TRENCHSTOP IGBT6-Familien sind im Hochvolumen erhältlich. Das Produktportfolio umfasst Produkte mit 15 A und 40 A im TO-247-3-Gehäuse, wahlweise mit Halb- oder Vollfreilaufdiode. Eine branchenführende Stromdichte für einen diskreten IGBT liefert die Variante in 75 A mit einer vollwertigen Freilaufdiode in den Gehäusen TO-247PLUS 3pin oder 4pin. Weitere Informationen sind online erhältlich unter.

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