Rekordgewinne und -umsätze

Hynix investiert 3,1 Milliarden in neue Fab

30. Juli 2018, 11:23 Uhr | Hagen Lang
HBM-DRAMs von SK Hynix bieten gegenüber bisherigen DRAMs höhere Performance bei geringerer Leistungsaufnahme und kleinerer Bauform.
© SK Hynix

Der südkoreanische Halbleiterhersteller SK Hynix, momentan drittgrößter Halbleiterhersteller der Welt, kündigte nach Rekord-Umsätzen und -Gewinnen die Investition von 3,1 Milliarden Dollar in eine neue DRAM Fab in Südkorea an.

Der Bau der 16.000-Quadratmeter-Fab soll Ende 2018 beginnen und Ende 2020 abgeschlossen sein. Das  dort hergestellte Produktportfolio werde, abhängig von Marktbedingungen und Technologieanforderungen zu einem späteren Zeitpunkt bestimmt.

Die Ankündigung fällt in eine Zeit steigender Nachfrage und verknapptem Angebot bei Halbleiterspeichern, deren DRAM-Segment im letzten Jahr um 76 Prozent wuchs. Handel Jones, CEO der Analysten International Business Strategies Inc., rechnet mit einem Wachstum des DRAM-Marktes um 33 Prozent in diesem Jahr und 2019 mit einem Marktvolumen von 100 Milliarden Dollar.

SK Hynix will ferner seine Produktionskapazitäten in seiner M14 Fab am Unternehmensstammsitz in der südkoreanischen Gyeonggi Provinz und seiner Fab in Zentralsüdkorea ausbauen. In China plant SK Hynix noch 2018 die Erweiterung seiner Reinraum-Anlagen

Die ebenfalls bekannt gegebenen Unternehmenskennzahlen für das zweite Quartal 2018 glänzen mit Rekord-Umsätzen, Rekord-Betriebserträgen und Rekord-Nettogewinnen in Höhe von 7,1 Milliarden Euro, bzw. 4,3 Milliarden Euro und 3,4 Milliarden Euro. Die Auslieferung von DRAM und NAND Flash-Speicher-Chips erhöhten sich im letzten Quartal um 19 Prozent, bzw. 28 Prozent.

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