Eine Ausgangskapazität von 0,75 pF und ein Leckstrom von lediglich 30 pA zeichnen den neuen optisch gekoppelten MOSFET PS7901D-1A von Renesas Electronics (Vertrieb MSC) aus.
Er sitzt in einem 4-Pin-Gehäuse, das eine Fläche von 2,9 x 2,3 mm2 einnimmt.
Trotz der gegenüber den Vorgängermodellen um zirka 40 Prozent kleineren Montagefläche ist weiterhin eine Isolationsspannung von 500 Veff garantiert. Dank seines geringen Leckstroms im Off-Zustand und der geringen Ausgangskapazität eignet sich der PS7901D-1 A für die Steuerung von HF-Signalen in Geräten, bei denen es auf eine möglichst geringe Baugröße ankommt.