Panasonic Industries bringt in diesem Jahr eine Reihe leistungselektronischer Innovationen, darunter X-GaN-Transistoren, SIC MOSFETS und SIC- sowie GaN-basierte Lösungen für Industrie- und Automotive-Anwendungen.
Die Serie von X-GaN 600V GaN-Transistoren ermöglicht eine Erhöhung der Leistungsdichte und eine Verbesserung von Energieumwandlungssystemen. Sie meistern GaN-basierte Systeme typischerweise betreffende technische Herausforderungen und sind selbstsperrend sowie gegen Stromzusammenbrüche gesichert.
Panasonics industrielle Subsysteme nutzen die Leistungsfähigkeit der X-GaNs voll aus, z.B. die kompakten X-GaN Wechselrichter und DCDC-Konverter.
SiC MOSFET DioMOS Lösungen
SiC-basierte Leistungskomponenten ermöglichen gegenüber Silizium-basierten Komponenten einen verlustärmeren Betrieb gerade in Hochvolt- und Hochstrom-Anwendungen. In Leistungsmodul-Prototypen nutzt Panasonic Industry bereits die SiC-DioMOS-Technologie.Panasonics DioMOS (Diode-Integrated SiC MOSFET) Struktur ermöglicht durch die Integration einer hochperformanten unipolaren Rücklaufdiode in den MOSFET-Kanal den Bau stark verkleinerter SiC-Module.
Fortschrittliche Elektromaterialien zur Verkapselung und Montage von Leistungsbauelementen
Neue Elektromaterialien von Panasonic verbessern dieZuverlässigkeit und verkleinern die Größe von Leistungselektronik und Automobilteilen. Vergussmaterialien für SiC- oder GaN-Leistungsbauelemente weisen eine verbesserte Hitzebeständigkeit auf und können durch eine hohe Glasübergangstemperatur und hohe thermische Stabilität Risse und Delaminationen von harzgekapselten Bauteilen unterdrücken. Verstärkungsmaterialien verbessern die Montagezuverlässigkeit, insbesondere im Automobilbereich.
Drive-By-Microwave (DBM) isolierte Gate-Treiber
Mit Hilfe der drahtlosen Mikrowellen-Leistungsübertragung liefert der DBM-Gate-Treiber nicht nur isolierte Signale, sondern auch isolierte Energie für ein Leistungsgerät. Dies macht eine externe, isolierte Stromversorgung überflüssig und vereinfacht und verkleinert die Gate-Treiberschaltungen für Leistungsbauelemente wie SiCs und IGBTs erheblich.
