Halbleiter

40 Prozent weniger Montagefläche

MSC: MOSFET mit 30 pA Leckstrom

Eine Ausgangskapazität von 0,75 pF und ein Leckstrom von lediglich 30 pA zeichnen den…

Power-MOSFET

Renesas präsentiert 600-V-Super-Junction-MOSFET

Mit dem »RJK60S5DPK« hat Renesas Electronics sein erstes Produkt aus einer Serie von…

Ausgangsarchitekturen für Industriesteuerungen…

Genauer, dichter und »grüner«

Weil für SPS eine steigende Kanaldichte gewünscht wird, muss die Industrie…

Ersatz von Silizum-IGBTs

Cree: Erster 1200-V-Siliziumkarbid-MOSFET

Cree, bislang als High-Brightness-LED-Pionier und Anbieter von Siliziumkarbid-Wafern und…

Für Power-over-Ethernet

MSC: RJ45-Ethernet-Jacks mit Magnetmodul

Für Industriecomputer, Netzwerk-Geräte, industrielle Steuerungen und weitere Anwendungen…

Erweiterter Temperaturbereich

Toshiba: schnelle, stromsparende Logik-IC-Koppler

Für einen weiten Betriebstemperaturbereich ausgelegt sind die Logik-IC-Koppler von Toshiba…

Für Power-over-Ethernet

RJ45-Ethernet-Jacks mit Magnetmodul

Für Industriecomputer, Netzwerk-Geräte, industrielle Steuerungen und weitere Anwendungen…

Einfach- oder Bipolar-Ausgang, 3000 V Isolation

MSC: DC/DC-Wandler mit 2 W in 1 cm3

15,24 x 8,0 x 8,5 mm messen die 22poligen SMD-Gehäuse der DC/DC-Wandler der Serie 13DS1-2W…

Prozesstechnologie senkt Stromverbrauch

Strom sparen mit DRAMs

Während energieeffiziente CPUs viel Beachtung finden, wird das Einsparpotenzial von…

EBV Elektronik bringt den ersten EBVchip auf den…

»Genesis ist erst der Anfang einer neuen Chip-Welt«

Mit dem IGBT-Modul »Genesis« läutet EBV die Geburtsstunde seiner EBVchips ein: Der…