Siliziumkarbid-Wafer

STMicroelectronics will SmartSiC-Technologie von Soitec nutzen

1. Dezember 2022, 11:48 Uhr | Ralf Higgelke
Soitec, STMicroelectronics,
Ablauf des SmartSiC-Prozesses von Soitec, den STMicroelectronics nun für sich qualifizieren will.
© Soitec

Da Wafer-Substrate noch länger der Engpass bei Siliziumkarbid bleiben, gibt es verschiedene Ansätze, aus den vorhandenen Rohwafern mehr zu generieren. Dazu werden nun STMicroelectronics und Soitec ihre Zusammenarbeit ausbauen und in den nächsten 18 Monaten die SmartSiC-Technologie qualifizieren.

STMicroelectronics (ST) und Soitec haben beschlossen, ihre Zusammenarbeit auf dem Gebiet der Siliziumkarbid-Substrate (SiC) auszubauen. ST plant, in den nächsten 18 Monaten die SiC-Substrat-Technologie von Soitec zu qualifizieren. Ziel dieser Zusammenarbeit ist es, Soitecs SmartSiC-Technologie für die künftige 200-mm-Substratfertigung von ST zu nutzen. Damit will der Halbleiterhersteller sein Geschäft mit diskreten Bauelementen und Power-Modulen stärken. Eine Serienfertigung dürfte laut ST mittelfristig möglich sein.

»Der Übergang zu SiC-Wafern mit 200 mm Durchmesser verschafft unseren Automobil- und Industriekunden erhebliche Vorteile, um die Elektrifizierung ihrer Systeme und Produkte zu beschleunigen. Dies ist wichtig, um bei steigenden Stückzahlen Skaleneffekte zu erzielen", erläuterte Marco Monti, President Automotive and Discrete Group, STMicroelectronics. Durch den Sprung von 150-mm- auf 200-mm-Wafer steigt die Fertigungskapazität erheblich. Pro Wafer lassen sich dadurch 1,8- bis 1,9-mal so viele Chips fertigen.

Soitec
Ablauf des SmartSiC-Prozesses von Soitec, den STMicroelectronics nun für sich qualifizieren will.
© Soitec

»Mit dem Einzug der Elektroautos steht die Automobilindustrie vor einem großen Umbruch. Unsere SmartSiC-Technologie, bei der wir unser proprietäres SmartCut-Verfahren an Siliziumkarbid anpassen, wird eine Schlüsselrolle bei der Beschleunigung ihrer Einführung spielen«, betonte Bernard Aspar, Chief Operating Officer von Soitec.

Bei SmartSiC wird eine dünne Schicht eines hochwertigen, monokristallinen Spender-Wafers (Donor) aufgespalten und auf einen Träger-Wafer aus polykristallinem SiC-Wafer (Handle-Wafer) mit niedrigem spezifischen Durchlasswiderstand aufgebracht. Dieses Substrat verbessert die Bauelementeleistung und die Fertigungsausbeute. Der hochwertige Spender-Wafer kann mehrfach genutzt werden, wodurch sich die für die Herstellung eines SiC-Substrats benötigte Energie insgesamt erheblich reduziert.


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