Kioxia expandiert trotz der Krisen

»Wir investieren kräftig in den Kapazitätsausbau und R&D!«

5. Februar 2021, 9:14 Uhr | Heinz Arnold
Axel Störmann, Kioxia: »Die Anzahl der Layer allein sagen nicht viel aus. Der Aufbau der Speicherchips sowie die effiziente Topologie von Zellmatrix und Steuerlogik sind hierbei genauso wichtig und jeder Hersteller muss entsprechend der zugrunde liegenden Techniken entscheiden, welche Zahl an Layers letztendlich die für seine Produkte optimale Cost/Performance Balance erbringt.«
© Kioxia

Im Interview mit Markt&Technik erklärt Axel Störmann von Kioxia, wie sich das Unternehmen am Markt positioniert, welche Trends er im NAND-Flash-Speichermarkt sieht und welche Neuentwicklungen Kioxia vorantreibt.

Markt&Technik: Aufgrund des widrigen aktuellen Umfeldes musste der für dieses Jahr vorgesehen IPO von Kioxia verschoben werden. Wird es schwieriger, die Investitionssummen aufbringen zu können, um an der Spitze der NAND-Hersteller mithalten zu können?

Axel Störmann, Vice President Memory Marketing & Engineering von Kioxia: Sowohl unsere Investoren – Toshiba hält einen Anteil von 40 Prozent – als auch die Marktexperten waren einhellig der Meinung, dass es in dem aktuellen Umfeld sehr unvernünftig gewesen wäre, Kioxia an die Börse zu bringen. Da warten wir ab, bis sich das wirtschaftliche Umfeld bessert. Gleichzeitig hat das Management klar versichert, dass es deshalb keine Einschränkungen im Investment geben wird.

Wie schreitet der Ausbau der Kapazitäten voran?

Wir sind im Plan: Erst kürzlich hat Kioxia bekannt gegeben, die neue Fab 7 in Yokkaichi für 9,5 Mrd. Dollar zu bauen. Der erste Abschnitt wird im Frühling 2022 die Produktion aufnehmen. Die Fab 6 hatte dort die Produktion 2018 gestartet. Damit haben wir eine der größten NAND-Flash-Fertigungskapazität der Welt.

Wird sich Western Digital an dem Bau beteiligen?

Unser Joint-Venture-Partner Western Digital beteiligt sich am Bau der Fabs. Unsere Speicher-ICs basieren auf derselben Zellenarchitektur, die Feineinstellungen, Produktentwicklungen und die Vermarktung führen wir aber getrennt durch.

SK Hynix wird die NAND-Flash-Speicher von Intel übernehmen und könnte Kioxia vom zweiten Platz unter den Herstellern verdrängen…

…wodurch sich zunächst einmal ja nichts an den vorhandenen Kapazitäten verändert. Wie gesagt, wir investieren weiter wie geplant in den Ausbau der Kapazitäten und stecken auch viel Geld in die Entwicklung neuer Produkte.

Wie haben sich die Krisen bisher auf Kioxia ausgewirkt?

Durch den Huawei-Bann und die Corona-Pandemie sind wir bisher gut durchgekommen. Die Datenzenten haben sogar einen Aufschwung erlebt, davon haben wir profitiert und das konnte die zuletzt nur zögerliche Geschäftsentwicklung in Bereichen wie Automotive und Industrie kompensieren. Der Markt bewegt sich jetzt insgesamt wieder in die richtige Richtung, die Zahlen gehen hoch.

Welche Konsequenzen wird es haben, dass Huawei von den High-End-Chips für Smart-Phones abgeschnitten ist und nun voraussichtlich nicht mehr die ursprünglich geplanten Stückzahlen produzieren kann?

Sicherlich wird es Verwerfungen im Smartphone-Markt geben. Insgesamt aber wird der Markt für Smartphones nicht schrumpfen. Ich rechne damit, dass er im ersten Quartal 2021 wieder anziehen wird.

Könnte sich die Lage nach dem Ausgang der Präsidentschaftswahl in den USA entspannen?

Es wird wohl mehr Kommunikation als bisher geben, die Fronten werden vielleicht nicht mehr so verhärtet sein wie über die letzten Monate.

Dennoch: China will mit aller Macht von Chip-Importen unabhängig werden und will eine eigene Halbleiterindustrie aufbauen. Ist das eine Bedrohung für Kioxia?

Es entstehen dort neue Hersteller von NAND-Flash-ICs – wie etwa Yangtse. Offensichtlich verläuft die Entwicklung aber insgesamt nicht so aggressiv, wie sie in der Öffentlichkeit bei uns oft dargestellt wird. Kioxia sieht keinerlei Grund, nervös zu werden. Das neuerlich geschlossene Freihandelsabkommen unter 14 Asian-Pazific-Staaten mit China unterstützen hierbei ebenfalls eine zukünftig ehr positive Entwicklung.

Wie sieht es mit der Entwicklung der eigenen Technologie aus, erst kürzlich hat Micron einen 3D-NAND-IC mit 176 Lagen vorgestellt?

Auch hier sind wir im Plan. Anfang des Jahres haben wir die fünfte Generation der BiCS-Flash-Technik mit 112 Layern vorgestellt. Damit lassen sich TLC-NAND-Speicher mit einer Kapazität von 1 TB und QLC-Typen mit 1,33 TB fertigen. Sie werden in Yokkaichi und in der neuen Fab in Kitakami produziert. Die nächsten Generationen – BiCS6 und BiCS7 – sind ebenfalls schon in der Entwicklung und werden sich dann entsprechend in Richtung der 200 Layer Grenze weiterbewegen. Allerdings sind Layer nicht alles. Der Aufbau der Speicherchips sowie die effiziente Topologie von Zellmatrix und Steuerlogik sind hierbei genauso wichtig und jeder Hersteller muss entsprechend der zugrunde liegenden Techniken entscheiden, welche Zahl an Layers letztendlich die für seine Produkte optimale Cost/Performance Balance erbringt.

In welche Richtung wird die Entwicklung gehen, um die Speicherkapazitäten weiter zu erhöhen?

Ende vergangenen Jahres hat Kioxia Europe auf der IEDM mit „Twin BiCS FLASH“ die weltweit erste dreidimensionale Split-Gate-Flashspeicherstruktur vorgestellt. Wir haben praktisch jede Zelle physikalisch halbiert und können so theoretisch die doppelte Kapazität bei gleichem Volumen erzielen. Die Twin-BiCS-FLASH-Typen basieren auf speziell entwickelten halbkreisförmigen Floating-Gate oder Charge-Trap-Zellen und sind deutlich kleiner als Ihre herkömmlich kreisförmigen Vorgänger. Der neue Zellenaufbau hat damit das Potenzial, vier Bits pro Zelle (QLC) zu übertreffen und so eine deutlich höhere Speicherdichte bis zu fünf Bit pro Zelle (PLC) bei einer geringeren Anzahl von Layers zu erzielen. Das ist nur ein Beispiel dafür, dass wir auch künftig stark in R&D aufgestellt sind.

Einer der Hauptzielmärkte von Kioxia sind Datenzentren. Welche neuen technischen Entwicklungen gibt es hier?

Nach wie vor sind die Datenzentren ein wichtiger Markt für uns, für den wir auch ständig neue Produkte entwickeln. Die Betreiber von Datenzentren sind kontinuierlich auf der Suche danach, wie sie die laufenden Kosten zu senken und die Perfomance ihrer Systeme erhöhen können. Dazu entwickeln wir neue SSD-Form-Factors, die das Thermal Management, die Leistungsaufnahme und die Skalierbarkeit der Speicherkapazitäten verbessern.

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