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Würth Elektronik eiSos: Neue Hochstromflachdrahtspeicherinduktivitäten

Die mit verbesserter Effizienz und geringerem Widerstand ausgestatteten Hochstromflachdrahtspeicherinduktivitäten der WE-HCF Produktfamilie von Würth Elektronik eiSos verfügen über eine erhöhte Strombelastbarkeit.

Hochstromflachdrahtspeicherinduktivitäten Bildquelle: © Würth Elektronik eiSos

Würth Elektronik eiSos stellt die WE-HCF Produktfamilie in Bauform 2815 vor, eine Flachdrahtspeicherinduktivität mit sehr hoher Strombelastbarkeit und Effizienz. Das jüngste Mitglied der WE-HCF-Reihe ist bis 36 A belastbar und erreicht Sättigungsströme bis 125 A.

Mit ihrem großen Drahtquerschnitt bietet die Induktivität einen 13 Prozent geringeren Widerstand als vergleichbare Produkte am Markt und erreicht einen bis zu 82 Prozent höheren Sättigungsstrom.

Die SMT-bestückbare Induktivitäte WE-HCF in Bauform 2815 füllt die Lücke zwischen den bisher verfügbaren Bauformen 2013 und 2818 und ist mit bis zu 50 Prozent höheren Nennströmen als die 2013-Serie belastbar. Die Flachdrahtspule hat einen Widerstand von  1,31 mΩ und mit ihrem Kern aus Mangan-Zink-Ferrit weist die magnetisch geschirmte Speicherdrossel geringe Kernverluste auf.

Das bis 125 °C spezifizierte Bauelement eignet sich als effizienter DC/DC-Wandler für Einzel- und Mehrphasenumrichter oder zur Filterung von Audioanwendungen. Besonders geeignet ist WE-HCF auch für Hochstromaufwärtswandler.

WE-HCF ist ab Lager in beliebigen Stückzahlen verfügbar. Kostenlose Muster sind erhältlich.