PWM-Controller plus MOSFET

GaN-Leistungshalbleiter verfügbar

10. Dezember 2010, 11:17 Uhr | Andrea Gillhuber
Die iP201x-Familie kann Ströme bis 30 A leiten.
© International Rectifier

International Rectifier die ersten kommerziell verfügbaren GaN-basierte Bausteine vorgestellt.

Bestehend aus einem PWM-Controller plus MOSFETs, kann die Bausteinfamilie iP201x bis zu 5 MHz schnell schalten und Ströme bis 30 A leiten. In beiden Chips ist das Treiber-IC Pow-IRtune integriert, das auf einen monolithischen, GaN-basierten Multi-Switch-Leistungsbaustein abgestimmt ist. Anwendungsbereiche sind Mehrphasen- und Point-of-Load-Anwendungen.

Der iP2010 (bis 3 MHz) weist einen Eingangsspannungsbereich von 7 V bis 13,2 V und einen Ausgangsspannungsbereich von 0,6 V bis 5,5 V bei einem Ausgangsstrom von bis 30 A auf. Dagegen weist der bis 5 MHz arbeitende, pin-kompatible iP2011 bei gleichem Eingangs- und Ausgangsspannungsbereich einen Ausgangsstrom bis 20 A auf.

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