Sie sind hier: HomeThemenSmart ComponentsSonstige

Ausbau der SiC-Fertigungskapazitäten: Paukenschlag auf der PCIM

Mit der Ankündigung, in den nächsten fünf Jahren insgesamt 1 Milliarde US-Dollar in den Ausbau der SiC-Fertigungskapazitäten zu investieren, hat Gregg Lowe, CEO & President von Cree, auf der PCIM in Nürnberg für einen Paukenschlag gesorgt.

Die PCIM findet 2018 erstmals im Juni (5. - 7.) statt. Bildquelle: © Mesago

Die PCIM findet 2018 erstmals im Juni (5. - 7.) statt.

Bezogen auf die Produktionskapazitäten im Herbst 2017, als Lowe die Verantwortung bei Cree übernahm, bedeutet das eine Kapazitätssteigerung um den Faktor 30. Die Investitionen verteilen sich zu gleichen Teilen auf die Wafer- und auf die Rohmaterial-Produktion (jeweils rund 450 Millionen Dollar). Weitere 100 Millionen Dollar steckt Cree in notwendige Maßnahmen zur Erweiterung des SiC-Business. Finanziert wird die 1-Milliarde-Dollar-Investition durch den Verkauf des Beleuchtungsgeschäfts (Cree Lighting) für rund 310 Millionen Dollar an Ideal Industries, die restlichen 700 Millionen Dollar stammen, wie es Lowe formulierte, »aus der Kriegskasse«.

Gregg Lowe, Cree.jpg Bildquelle: © Markt & Technik

Gregg Lowe, Cree

Knapp eineinhalb Jahre, nachdem er bei Cree die Verantwortung übernommen hatte, haben Lowe und sein Team das Unternehmen damit sozusagen vom Kopf auf die Füße gestellt. Bereits vor einem Jahr hatte Lowe auf der PCIM 2018 betont, dass er die Zukunft des Unternehmens in SiC sieht und die größten Zukunftshoffnungen damit auf der Unternehmenstochter Wolfspeed ruhen. Mit dem Verkauf des wieder in die Profitabilität geführten Lighting-Geschäfts rückt SiC zum größten Umsatzträger für Cree auf.

Aktuell sieht es nicht so aus, als ob es wirklich bis 2022 dauern wird, bis Wolfspeed die 850-Millionen-Dollar-Umsatzschwelle erreicht. Dafür sorgen soll neben dem Bedarf des EV- vor allem auch der 5G-Markt. Parallel zu seinem 1-Milliarde-Dollar-Statement kündigte Lowe in Nürnberg auch den Bau einer neuen Wafer-Fab an, in der dann in einigen Jahren auf 8-Zoll-Wafern SiC-Leistungshalbleiter produziert werden sollen. Cree wäre damit wohl der erste SiC-Hersteller, der auf diesen Wafer-Durchmesser umstellt.