Green-Memory-Offensive
DDR4 läutet die nächste Energiesparrunde ein
Samsung Electronics hat die Entwicklung des industrieweit ersten DDR4-DRAM-Prototyp-Moduls basierend auf 30-nm-Class-Chips abgeschlossen. Beim Einsatz in Notebooks soll die Technologie den Energieverbrauch um weitere 40 Prozent senken.
Gegenüber DDR3-DRAMs für 1,35 V und 1,5 V, die mit bis zu 1,6 GBit/s arbeiten und auf einer äquivalenten 30-nm-Class-Prozesstechnologie basieren, kann das neue DDR4-DRAM-Modul bei einer Spannung von 1,2 V eine Datenübertragungsrate von 2,133 GBit/s erreichen. Beim Einsatz in Notebooks sinkt im Vergleich zu 1,5-V-DDR3- Modulen der Energieverbrauch um 40 Prozent.
Hintergrund für die gute Performance bei gleichzeitiger Energieeinsparung ist unter anderem die »Pseudo Open Drain«-Technologie (POD), die dafür sorgt, dass das neue DDR4-DRAM beim Schreiben und Lesen von Daten nur halb soviel Strom aufnimmt wie DDR3-DRAMs.
Dank einer neuen Schaltkreisarchitektur kann der DDR4-Chip von Samsung mit bis zu 1,6 bis 3,2 GBit/s arbeiten, während DDR3- und DDR2-DRAMs typische Geschwindigkeiten von »nur« 1,6 GBit/s erreichen.
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