International Rectifier

»GaN wird zukünftig zu einer unserer wichtigsten Triebfedern«

28. Juni 2013, 14:12 Uhr | Engelbert Hopf
leg Khaykin, International Rectifier: »Im Rahmen der Markteinführung werden wir unsere GaN-Power-Lösungen nur direkt vertreiben und so sicherstellen, dass unsere Spezialisten und FAEs bei Schlüsselkunden ein Maximum an Beratung bei der Einführung dieser neuen Leistungshalbleitertechnologie leisten können.«
© energie-und-technik.de

In fünf Jahren hat Oleg Khaykin, CEO und President von International Rectifier, das Unternehmen erfolgreich restrukturiert und als Industrial-Power-House am Markt re-etabliert. Als GaN-Power-Pionier startet IR dieser Tage die Kommerzialisierung dieser neuen Technologie.

Herr Khaykin, nach knapp zehn Jahren Forschung und Entwicklung haben Sie nun den kommerziellen Vertrieb von  GaN-auf-Silizium-Bausteine begonnen. Welche Erwartungen verbinden Sie mit diesem Verkaufsstart?

Oleg Khaykin: Wir gehen davon aus, dass die möglichen Auswirkungen der GaN-basierten Technologie auf den Markt der Leistungsumwandlung mindestens ebenso  groß sein werden, wie die Einführung der Power-HEXFETs durch International Rectifier vor mehr als 30 Jahren.

Sie hatten ursprünglich auf den Einsatz im Server-Bereich als erster Kundenapplikation gesetzt, nun kommen die Schalter als Class-D-Verstärker in einem Heimkinosystem von Samsung zum Einsatz. Wie kam es zu dieser Umorientierung?

Wir haben bei unserer Marktsondierung die Erfahrung gemacht, dass es sinnvoller ist, bei der Markteinführung einer neuen Technologie wie GaN auf Anwender zu setzen, die ihre eigenen Systeme definieren, und weniger auf Anwendungsbereiche, die bei der Entwicklung stark durch die Vorgaben eines Unternehmens standardisiert sind. Dass die GaN-Schalter nun als Class-D-Verstärker in einem hochwertigen Heimkinosystem zum Einsatz kommen, geht letztlich auf einen audiophilen Entwicklungsingenieur zurück, der überrascht feststellte, dass die GaN-Bausteine in dieser Applikation denselben Sound liefern, wie sonst nur Verstärkerröheren.

Würden Sie im Fall Ihres GaN-Schalters von einem MOSFET-Device sprechen und für welche Spannungsbereiche werden Sie Ihre GaN-Technologie in Zukunft anbieten?

Bei unserer Lösung handelt es sich um einen GaN-Schalter. Ich kann ihn natürlich als MOSFET verpacken, wenn der Kunde das wünscht. Wir werden die GaN-Schalter im ersten Schritt für Mid-Voltage-Applikationen bis 100 V anbieten, wir arbeiten aber auch bereits an High-Voltage-Ausführung, die bis 600 V einsetzbar sein werden. Unsere Ziel ist es aber in beiden Fällen nicht einzelne Schalter anzubieten, sondern stattdessen integrierte Blackbox-Lösungen.

Was versprechen Sie sich von diesem Modulansatz?

Eine Blackbox-Lösung, die der Anwender nur noch in seine jeweilige Applikation einsetzen muss und die dort genau die Funktion übernimmt, die ihr zugedacht ist, reduziert die Akzeptanz-Barrieren, die mit der Markteinführung neuer Technologien verbunden sind. Letztlich muss dem Anwender gar nicht bewußt sein, wie die Schaltung dieser Blackbox realisiert ist, entscheidend ist, dass diese Blackbox durch ihre Performance und Zuverlässigkeit besticht!

Wie viele GaN-auf-Silizium-Wafer haben Sie in den letzten Jahren produziert, bevor Sie nun mit der Kommerzialisierung dieser Technologie beginnen und wann wird GaN einen relevanten Beitrag zur Umsatzentwicklung von International Rectifier liefern?

Wir haben in den letzten Jahren einige 10.000 Wafer und mehrere Millionen GaN-Schalter hergestellt, bevor wir die Kommerzialisierung starteten. Nicht zu vergessen sind dabei die neuen Testverfahren, die entwickelt werden mussten, um die Zuverlässigkeit der GaN-Power-Lösungen zu garantieren. Ohne die enge Zusammenarbeit und den Erfahrungsaustausch mit einigen Schlüsselkunden, hätte sich die Markteinführung der neuen Technologie, nach ihrer ersten Präsentation im Herbst 2008 sicherlich länger hingezogen. Mit einem relevanten, also mittleren zweistelligen Millionen Dollar Umsatzbeitrag, rechne ich erst in einigen Jahren.GaN hat aber das Potenzial, langfristig in jeden Geschäftsbereich und jede Produktfamilie von IR vorzudringen. Langfristig biete GaN damit eine wesentliche Triebfeder unseres angestrebten Umsatzwachstums und der Vergrößerung unseres Marktanteils.

Sie sprachen die Adaptionsbarrieren für neue Technologien an. Werden Sie Ihre GaN-Power-Lösungen über die Distribution anbieten, oder nur im Eigenvertrieb?

Ich denke sowohl auf Seiten der Hersteller, wie auch auf Seiten der Kunden ist die Zahl derjenigen, die das Potential dieser neuen Technologie wirklich ausschöpfen können begrenzt. Aus diesem Grund werden wir die Spezialisten und FAEs die wir haben, auf unsere Schlüsselkunden konzentrieren. Bei einem Vertrieb über die Distribution könnten wir nicht sicherstellen, dass jeder Interessent wirklich alle notwendigen Informationen erhält, um die Möglichkeiten dieser Technologie wirklich im vollen Umfang heben zu können. Aus diesem Grund werden wir uns in der Einführungsphase auf die Big Players mit großem Bedarfsvolumen konzentrieren.

Sie haben vor fünf Jahren die Verantwortung bei International Rectifier übernommen und das Unternehmen seither nachhaltig verändert und refokussiert. Sind die eingeleiteten Um- und Restrukturierungen inzwischen abgeschlossen?

Was den Bereich der Produktentwicklung, des Marketing und des Vertriebs angeht, haben wir inzwischen die eingeleiteten Veränderungen erfolgreich durchlaufen und unsere Ziele erreicht. Noch etwas Zeit in Anspruch nehmen wird jedoch die Neugewichtung unseres Verhältnisses zwischen eigener Produktion und dem Foundry-Anteil. So haben wir beispielsweise zu Beginn dieses Jahres unsere Fertigung in El Segundo geschlossen. Ein solcher Transformationsprozess braucht jedoch Zeit. Ich gehe davon aus, dass wir in drei bis vier Jahren die Verteilung erreicht haben, die aus heutiger Sicht für ein nachhaltig erfolgreiches Unternehmen notwendig ist.

Zu dem von Ihnen eingeleiteten Veränderungsprozess zählten auch Neuanstrengungen im IGBT-Bereich. Haben Sie auch dort inzwischen die gesetzten Ziele erreicht?

Vor vier Jahren lagen wir sowohl im MOSFET-, wie im IGBT-Bereich deutlich zurück, das war ein Fakt. Inzwischen haben wir beide Produktgruppen komplett überarbeitet und zählen mit unseren Produkten wieder zu den performancestärksten am Markt. Unser erklärtes Ziel ist es, zum bevorzugten IGBT-Lieferanten im Bereich von 600 bis 1200 V zu entwickeln. Unser besonderer Fokus liegt dabei auf Applikationen im Bereich Automotive und Industrie.

Ihre Quartalszahlen liegen zwar aktuell etwas unter dem Vorjahr, doch International Rectifier hat seit 2011 die Umsatzmilliarde wieder überschritten. Welches Wachstum halten Sie in den nächsten Jahren für Ihr Unternehmen für möglich?

Ich halte aus heutiger Sicht in den nächsten drei bis vier Jahren eine Umsatzsteigerung von 50 Prozent für absolut realistisch. Wir haben uns in den letzten Jahren als Industrie-Power-House aufgestellt, und wenn uns die zukünftige Entwicklung der Weltkonjunktur nicht im Stich lässt, wird sich diese Positionierung in einem entsprechenden Umsatzwachstum ausdrücken.

Das Jahr 2012 hat Ihre Erwartungen ja enttäuscht, woraus schöpfen Sie Ihren aktuellen Optimismus?

Das letzte Jahr stellte eines der schlechtesten der gesamten Halbleiterbranche dar. Aktuell beobachten wir einen nachhaltigen Bedarfsanstieg über alle Anwendungsmärkte hinweg. Dies geschieht vor dem Hintergrund reduzierter Lager bei den Kunden. Für uns ein Zeichen für eine Trendwende. Angesichts dieser positiven Entwicklung rechnen wir für das laufende Quartal mit Umsätzen in Höhe von 255 bis 265 Millionen Dollar.

Sie haben in einem Interview versichert, in Zukunft nur noch zu kaufen, aber keine Unternehmensteile mehr zu verkaufen. Wie steht es um Ihre Akquisitionsmöglichkeiten?

Wir verfügen derzeit über rund 400 Millionen Dollar Cash. Für die von uns für notwendig erachteten, möglichen Akquisitionen im Technologiebereich, gibt uns das einen ausreichend großen Handlungsspielraum.


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