Alpha and Omega
»Source Down«-DFN 5x6-Gehäuse mit 40V MOSFET
Alpha and Omega Semiconductor bringt mit dem AOE66410 eine neue »Source Down«-Variante eines DFN 5x6-Gehäuses mit einem 40V MOSFET in Shield-Gate-Technologie (AlphaSGT) mit geringem thermischen Wärmewiderstand und geringer Induktivität.
Der geringe thermische Wärmewiderstand und seine geringe Induktivität prädestinieren den AOE66410 für Industrieanwendungen, zur Sekundärgleichrichtung (SR), in Halbbrückenkonfiguration für BLDC-Motoranwendungen sowie für das Batteriemanagement, wo eine Parallelisierbarkeit wichtig ist.
Der AOE66410 (40V) hat den gleichen Formfaktor wie ein Standard DFN 5x6 Gehäuse, aber das Source Pad hat eine größere Verbindung zur Leiterplatte. Netzteilkonstrukteure können so Bauteile einfacher parallel schalten und haben eine größere thermische Fläche zum Abbau anfallender Verluste zur Verfügung.
Der AOE66410 hat einen Rds(on)-Widerstand von maximal 1mOhm bei 10Vgs mit einem maximalen Drainstrom von 100A bei 25°C Gehäusetemperatur.
"Source Down kann eine deutliche Verbesserung des PCB-Layouts bieten und neue parallele Designs vereinfachen, die für Hochleistungs-Industrienetzteile geeignet sind", sagt Peter H. Wilson, Marketing Director der MOSFET-Produktlinie bei AOS.
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