Leistungs-Stromrichter
Crees SiC-MOSFETs machen E-Mobility effizienter
Einen bisher unerreichten Wirkungsgrad von 96 Prozent in seinen Leistungs-Stromrichtern der 3- bis 10-kW-Klasse für Elektrobusse erzielt Shinry Technologies durch den Einsatz von Crees SiC-MOSFETs der zweiten Generation.
»Unsere Kunden legen größten Wert auf den Wirkungsgrad, kompakte Abmessungen, ein geringes Systemgewicht und niedrige Kosten«, beschreibt Dr. Wu Ren Hua, CEO von Shinry Technologies, das Anforderungsprofil seiner Kunden aus dem E-Mobility-Bereich. »Die SiC-MOSFETs der C2M-Familie von Cree«, so Dr. Hua, »verleihen der jüngsten Generation unserer Leistungs-Stromrichter für PKWs und Busse mit Hybrid- und Elektroantrieb einen bisher unerreichten Wirkungsgrad von 96 Prozent.« Hinzu kommt ein um 25 Prozent kleinerer Formfaktor als bei herkömmlichen Plattformen ohne SiC-MOSFETs der C2M-Serie von Cree.
In Shenzhen ansässig, hat sich Shinry Technologies auf Gleichspannungswandler, Bordladegeräte und Schnellladelösungen für Hybrid- und Elektrofahrzeuge spezialisiert. Damit adressiert das Unternehmen einen Markt, der nach großer Zuverlässigkeit, hohen Wirkungsgraden und kompakten Abmessungen verlangt. Shinry setzt die SiC-MOSFETs der zweiten Generation von Cree für seine neuesten, für den Einsatz in Elektrobussen vorgesehenen Gleichspannungswandler mit Leistungen von 3 bis 10 kW ein. Gegenüber einer traditionellen Siliziumversion reduziert sich die maximale Verlustleistung des Leistungs-Stromrichters in SiC-Bauweise um mehr als 60 Prozent.
»Wir richten unseren Fokus darauf, durch Fortschritte im SiC-Bereich beste Effizienzwerte zu erzielen«, kommentiert Cengiz Balkas, Vice President und General Manager des Bereichs Power und RF bei Cree, die Entwicklungserfolge bei Shinry Technologies, »es ist deshalb überaus reizvoll zu sehen, wie unsere SiC-MOSFETs der zweiten Generation genutzt werden, um mit Stromrichtern für Hybrid- und Elektrofahrzeuge in neue Dimensionen vorzustoßen«. Mit seiner raschen Umstellung auf die C2M-SiC-MOSFETs sei Shinry in der Lage, so Balkas, seinen Kunden in Sachen Wirkungsgrad, Leistungsdichte und Kosten den neuesten Stand der Technik zu bieten.
Cree hatte die SiC-MOSFETs der C2M-Familie im März 2013 vorgestellt. Verglichen mit herkömmlicher Silizium-Technik lässt sich durch ihren Einsatz in standardmäßigen Stromversorgungs-Designs nachweislich mehr als die dreifache Leistungsdichte erzielen. Zum Einsatz kommen die Bauelemente bereits in Solar-Wechselrichtern, industriellen Stromversorgungen, Batterieladegeräten, USVs und zahlreichen weiteren Anwendungen.
Zertifiziert für 1200 V bzw. 1700 V, bieten die SiC-MOSFETs der zweiten Generation Herstellern die Möglichkeit, ihre Produkte am Markt durch eine deutliche Verbesserung des Wirkungsgrades, der Zuverlässigkeit und/oder der Leistungsdichte deutlich von Wettbewerbsprodukten zu differenzieren. Neben diesen Alleinstellungsmerkmalen reduziert die gesteigerte Leistungsdichte zudem die Größe, das Volumen, das Gewicht und in einigen Fällen auch die Gesamtkosten der mit SiC-MOSFETs realisierten Leistungselektronik-Systeme.
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