Infineon Technologies/Goldwind
Lizenzabkommen über IGBT-Stack-Technologie
Infineon Technologies und Xinjiang Goldwind Science and Technology, chinesischer Spezialist für die Entwicklung und Fertigung von Windkraftanlagen, haben ein Lizenzabkommen.
Im Rahmen der Vereinbarung erhält Goldwind die Lizenz für die Produktion von IGBT-Stacks (IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor) von Infineon, die in Windkraftanlagen mit einer Leistung von mehreren Megawatt eingesetzt werden. Infineon wird darüber hinaus auch IGBT-Stacks an Goldwind liefern.
Infineon plant zudem die Einrichtung eines Anwendungs-Entwicklungszentrums in Peking. Die neue Windkraftanlagen-Generation zeichnet sich durch höhere Leistungen und verbesserte Netzkompatibilität aus. Leistungsfähige Umrichter gehören zu den wichtigsten Komponenten von PMDD-Windrädern (PMDD: Permanent Magnet Direct Drive), wie Goldwind sie produziert. Bereits seit 2007 liefert Infineon IGBT-Stacks für Umrichter von Goldwind. Seit der ersten Installation im Beijing Guanting Reservoir im Juli 2009 haben sich Goldwind-Umrichter auf Basis der IGBT-Stacks von Infineon mit einer Verfügbarkeit von 99 Prozent vielfach bewährt und zahlreiche Tests unter extremen Bedingungen bestanden.
Goldwind hat in den vergangenen Jahren bereits umfassende Erfahrungen in der Entwicklung von Umrichtern gesammelt. Die neue Goldwind-Fertigungsanlage in Peking wird in Kürze in Betrieb genommen. Die IGBT-Stacks werden bereits in den 1,5-MW-Windkraftanlagen von Goldwind eingesetzt und sollen demnächst auch in Modellen mit 2,5 MW und 3,0 MW genutzt werden, die bereits in der Volumen-Produktion sind. Darüber hinaus sollen die Komponenten auch in den zurzeit entwickelten 6-MW-Offshore-Modellen genutzt werden. Die Auslieferung des ersten 6-MW-Prototyps von Goldwind ist für Mitte 2012 geplant.
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