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Thyristoren für HGÜ-Anwendungen: Stand der Technik

Fortsetzung des Artikels von Teil 2.

Die Autoren

ist seit 2000 bei Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co KG beschäftigt, wo er seit 2003 das Feld der Hochleistungs-Thyristoren und -Dioden im Technischen Marketing betreut. Vor seiner Tätigkeit bei Infineon war er von 1997 bis 2000 als Inbetriebnahme-Ingenieur bei der Otto-Junker GmbH beschäftigt. Er hat Elektrotechnik an der U-GH Paderborn studiert.
 
ist Geschäftsführer der Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG. Er hat Elektrotechnik an der TU Dresden studiert und dort auf dem Gebiet der Elektroenergietechnik promoviert. Danach war er für die ABB Zürich (Generatorleistungsschalter) sowie für SGB Regensburg und Siemens Nürnberg (Transformatoren) tätig.

 
arbeitet seit mehr als 20 Jahren bei Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG in der Entwicklung für hochsperrende Scheibenzellen, wie sie auch in speziellen Anwendungsbereichen wie der HGÜ zum Einsatz kommen. Nach dem Studium der Elektrotechnik an der TH Darmstadt folgten mehrjährige Entwicklungstätigkeiten auf den Gebieten hochsperrender Leistungstransistoren (Telefunken/Heilbronn) sowie großflächiger Scheibenzellenthyristoren (ABB Semiconductors/Lenzburg).

 

ist seit 2012 bei der Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG in der Produktentwicklung tätig. Zuvor war er seit 2006 beim Fraunhofer-Institut für Mikroelektronische Schaltung und Systeme als Entwicklungsingenieur beschäftigt. Er promovierte 2010 mit seiner Arbeit „Plasma Charging Damage bei Bauteilen höchster Zuverlässigkeitsanforderungen“ an der Universität Duisburg-Essen.