Verbesserte Reichweite für Elektromobile
Vitesco und ROHM kooperieren bei Siliziumkarbid-Halbleitern
Vitesco Technologies, die Antriebssparte von Continental hat mit ROHM Semiconductor eine Entwicklungspartnerschaft zur Integration von Siliziumkarbid (SiC) in Leistungselektroniken von Elektrofahrzeugen geschlossen. Der höhere SiC-Wirkungsgrad verspricht höhere Reichweiten und kleinere Batterien.
Vitesco Technologies hat ROHM zum bevorzugten Partner für Siliziumkarbid Leistungshalbleiter ernannt. Vitesco Technologies wird SiC-Bausteine für die Effizienzsteigerung seiner Leistungselektronik für Elektrofahrzeuge (Electric Vehicle EV) nutzen. Der höhere Wirkungsgrad von SiC-Halbleitern macht perspektivisch eine höhere Reichweite von Elektrofahrzeugen möglich, bzw. die Batterie kann bei gleichen Fahrleistungen verkleinert werden.
“Energieeffizienz ist im Elektrofahrzeug von herausragender Bedeutung. Da die Antriebsbatterie die einzige Energiequelle im Fahrzeug ist, müssen alle Wandlungsverluste minimiert werden. Deshalb entwickeln wir eine SiC-Option als Teil unseres modularen Leistungselektroniksystems," sagt Thomas Stierle, Leiter der Geschäftseinheit Electrification Technology bei Vitesco Technologies. “Um den maximalen Wirkungsgrad aus der Leistungselektronik und der E-Maschine herauszuholen, werden wir SiC-Bausteine von unserem bevorzugten Partner einsetzen. ROHM hat uns mit seinen Produkten überzeugt.”
“Wir freuen uns auf die künftige Zusammenarbeit mit Vitesco Technologies”, sagt Dr. Kazuhide Ino, Corporate Officer, Direktor der Geschäftseinheit Power Device bei ROHM Co.,Ltd. “Wir sind weltweit der führende Anbieter bei SiC-Leistungshalbleitern und Gate-Treiber ICs und haben uns auf diesem Feld einen erheblichen technischen Vorsprung erarbeitet. Gemeinsam mit Vitesco Technologies wollen wir die Energieeffizienz von elektronischen Komponenten für die Elektromobilität weiter steigern und so eine nachhaltige Mobilität sichern.”
Vitesco Technologies entwickelt und testet SiC-Technologie aktuell in einem 800 V Inverterkonzept, um das Effizienzpotenzial dieser Technologie zu bestätigen und um die beste Kombination aus Bausteintechnologie und Schaltstrategie zu bestimmen. SiC-Leistungshalbleiter (z.B. SiC MOSFET für 800 V Batteriesysteme, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) bieten für diese Aufgabe eine höhere Schalteffizienz (höhere Schaltfrequenz, steilere Schaltflanken) und verursachen geringere Oberschwingungsverluste in der elektrischen Maschine. Außerdem wird die SiC-Technologie für superschnelle Ladeverfahren mit 800 V benötigt.
“Die SiC-Option ist ein vielversprechender zukünftiger Teil unseres modularen Leistungselektroniksystems aus Software, Leistungsendstufe und Schaltstrategie”, sagt Dr. Gerd Rösel, Leiter Innovation der Geschäftseinheit Electrification Technology bei Vitesco Technologies. “Wir werden mit ROHM sowohl an einer 800 V SiC- Inverterlösung arbeiten als auch an einer 400 V SiC-Inverterlösung.” Vitesco Technology plant den Produktionsstart der ersten SiC- Inverter ab dem Jahr 2025, der Zeitpunkt, für den eine deutlich zunehmende Nachfrage erwartet wird. “Mit anderen Worten, der Zeitstrahl unserer Partnerschaft und Entwicklung passt genau”, sagt Rösel.
Geografisch profitiert die Partnerschaft mit Werken von Vitesco Technologies und ROHM in Nürnberg (ROHM Semiconductor Group: SiCrystal GmbH) und dem Vitesco Technologies Hauptquartier in Regensburg von kurzen Wegen.
Lesen Sie mehr zum Thema
Das könnte Sie auch interessieren
