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Vishay

Neuer n-Kanal-MOSFET SiHP065N60E

2. Februar 2017, 17:46 Uhr | Hagen Lang

Der erste MOSFET der vierten E-Serie-Generation ist ein 600-V-Baustein im TO-220AB-Gehäuse.

Das neue Bauteil SiHP065N60E von Vishay Siliconix verfügt über einen um 30 Prozent geringeren On-Widerstand. Der 600-V-Leistungs-MOSFET bietet zudem eine um 44 Prozent geringere Gate-Ladung als die bisherigen Modelle.

Das Bauteil eignet sich dank hohem Wirkungsgrad für Stromversorgungsanwendungen in der Telekommunikation, Industrie und Unternehmen. Es bietet marktweit das kleinste Produkt aus Gate-Ladung und On-Widerstand, die wichtige Kennzahl (Figure of Merit) von 600-V-MOSFETS für Spannungswandler-Anwendungen.

»Wir haben uns zum Ziel gesetzt, unseren Kunden ein breites Spektrum von MOSFET-Technologien anzubieten, das den gesamten Energieumwandlungsprozess abdeckt – von hohen Eingangsspannungen bis zu den sehr niedrigen Betriebsspannungen moderner elektronischer Systeme«, sagt David Grey, Leiter der Marktentwicklung bei Vishay. »Der SiHP065N60E und die aufkommende vierte Generation unserer 600 V E-Serie ist unsere Antwort auf die steigenden Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte in der ersten Stufe der Energiewandlung–Leistungsfaktorkorrektur und Hochspannungs-DC/DC-Wandlung.«

Der auf energieeffizienter Superjunction-Technologie basierende SiHP065N60E bietet einen On-Widerstand von nur 0,065W (max.) bzw. 0,057W (typ.) bei 10V Gate-Spannung und eine äußerst geringe Gate-Ladung von nur 49nC. Die FOM-Spezifikation (figure of merit, Produkt von On-Widerstand und Gate-Ladung) von nur 2,8W*nC (typ.) ist damit um 25% geringer als beim nächstbesten Wettbewerbsprodukt.

Auch die sehr geringen effektiven Ausgangskapazitäten Co(er) und Co(tr) von nur 93pF bzw. 593pF tragen zu dem hervorragenden Schaltverhalten des SiHP065N60E bei. Die geringeren Durchlass- und Schaltverluste führen zu Energieeinsparungen in Leistungsfaktorkorrektur- und steilflankig schaltenden DC/DC-Wandlerstufen von Telekom-, industriellen und gewerblichen Stromversorgungssystemen.

Der neue MOSFET im TO-220AB-Gehäuse ist RoHS-konform und halogenfrei. Für die Überspannungsfestigkeit im Avalanche-Modus werden Grenzwerte garantiert, und das Bauteil wird auf Einhaltung dieser Spezifikation UIS-getestet.

Muster des neuen MOSFETs SiHP065N60E sind sofort verfügbar. Produktionsstückzahlen sind ab sofort mit einer Lieferzeit von zehn Wochen lieferbar.