Weiterentwickelte Targetmaterialien

Sputter-Targets für CIGS-Solarzellen

12. September 2012, 9:06 Uhr | Claudia Dunker
Kupfer-Gallium-Rohrtarget für die Herstellung von CIGS-Solarzellen
© Heraeus

Die von Heraeus entwickelten Sputter-Targets reduzieren die Kosten für die Fertigung von CIGS-Solarzellen und bieten Vorteile gegenüber Aufdampfprozessen.

Im Vordergrund des Messeauftritts von Heraeus stehen Targets für die Herstellung von Dünnschicht-Solarzellen, insbesondere Indium-, Kupfer-Gallium- und Aluminium dotierten Zinkoxid-Rohrtargets. Die von Heraeus entwickelten Targets ermöglichen Herstellern von CIGS-Solarzellen Kosteneinsparungen aufgrund hoher Sputterleistungen und maximaler Materialausnutzung.

Über die reine Targetfertigung hinaus bietet Heraeus seine Kunden Unterstützung bereits in der Produktentwicklung, um so die optimale Kostenstruktur für das spätere Endprodukt aktiv mitzugestalten.

Sputterverfahren (Kathodenzerstäubung)

Bei der Abscheidung des Absorbers zeigt das Sputterverfahren Vorteile gegenüber alternativen Aufdampfprozessen. Das PVD-Verfahren ermöglicht auch bei großen Beschichtungsflächen (gleichzeitige Beschichtung mehrerer Substrate) eine ausgezeichnete Schichthomogenität. Es trägt somit zu einer höheren Effizienz der Solarzelle bei.

Heraeus arbeitet kontinuierlich an der Weiterentwicklung und Optimierung der eingesetzten Targetmaterialien. Ziel ist, den Kunden nachhaltige Wettbewerbsvorteile im hart umkämpften Solarmarkt, speziell gegenüber kristallinen Modulherstellern, zu ermöglichen.

In einem eigenen Sputterlabor unterstützt Heraeus die Entwicklung der Schichtsysteme. Hier werden Kundentests durchgeführt und das Sputterverhalten neu entwickelter Targetmaterialien für die nächste Generation von Dünnschichtsolarzellen analysiert.

PVSEC 2012, Stand G16, Halle 3.0


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