Galliumnitrid
Die Zukunft netzgeführter Umrichter hat begonnen
Schon seit Jahren sprechen Designer davon, dass mit Galliumnitrid (GaN) eine beispiellose Leistungsdichte, Systemzuverlässigkeit und Kosteneinsparung in netzgeführten Anwendungen möglich wird. Mittlerweile steht für solche Anwendungen ein umfangreiches Portfolio an GaN-FETs zur Verfügung.
Bei der Realisierung der Vorteile der GaN-Technologie gilt es noch eine Reihe weiterer Faktoren zu berücksichtigen, wie etwa die Lieferkette, die Standardisierung und die Verfügbarkeit vollständig entwickelter und getesteter Lösungen. Weltweit agierende Unternehmen mit fundierter Fertigungspräsenz, wie etwa Texas Instruments (TI), haben in den vergangenen Jahren ein vollständiges Portfolio an kosteneffektiven GaN-Feldeffekttransistoren (FETs) auf den Markt gebracht.
Die Standardisierungs-Initiativen des Komitees JC-70 des Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) führten bereits zu einer Reihe wichtiger Richtlinien bezüglich der Zuverlässigkeit und des Testens von GaN. Auf der Basis seines GaN-FET mit integriertem Treiber und Schutzeinrichtungen präsentierte TI außerdem unlängst eine vollständige, bidirektionale netzgeführte Umrichterlösung für 900 V und 5 kW.
Diese Entwicklungen stellen wichtige Schritte zum Aufbau von Vertrauen in GaN und die Eignung dieses Materials für Designs mit hoher Leistungsdichte dar. Hieran anknüpfend, soll anschließend dargelegt werden, dass die Zukunft der Netzstromversorgung bereits begonnen hat.
- Die Zukunft netzgeführter Umrichter hat begonnen
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- Die Praxistauglichkeit von GaN: Designbeispiele
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